Инженерлер кремния пластинасында қалыңдығы бір атом болатын монолитті кристалдарды өсірудің жолын тапты. Бұл жайында islam.kz порталы аталмыш зерттеу материалы жарияланған Nature мерзімді басылымына сілтеме жасай отырып мәлім етеді. Массачусет технологиялық институтының инженерлері кремний субстратында қалыңдығы бір атомды құрайтын «идеалды» екі өлшемді жартылай өткізгіш кристалдарды жасау әдісін әзірледі. Бұл тараптағы технология Мур заңының шектеулерін жеңуге және кішкентай транзисторлар мен чиптерді жасауға көмектеседі. Жартылай өткізгіштерді жасау үшін зерттеушілер бу тұндыру әдісін қолданады. Бұл процесс кезінде атомдар кремния пластинасына орналасады және 2D құрылымдарға айналады. Бұл кристалдарды өсірудің және жұқа жартылай өткізгіштерді алудың кең таралған тәсілі. Оның кемшілігі қалыпты жағдайда кристалдың әрбір «өзегі» кездейсоқ бағытта өседі. Инженерлер бұл шектеуді жеңудің жолын тапты. Ол үшін кремния пластинасы арнайы «маскамен» жабылған: зерттеушілер кремний диоксидінің кішкентай қалталарын қалыптастырды, олардың әрқайсысы болашақ кристалдың эмбрионын ұстауға арналған. Содан кейін олар бір кристалды, екі өлшемді материалды құра отырып, әрбір қалтаға қоныстанған атомдардан газ өткізді. Авторлар мұндай кристалды «мінсіз» деп атайды, өйткені, оның монолитті құрылымында электрондардың қозғалысын шектейтін кедергілер жоқ. Бұл тәсіл арқылы инженерлер көп қабатты жартылай өткізгіш құрылғыны жасап шығарды. Кремния пластинасын өрнекті маскамен жапқаннан кейін олар алдымен әр шаршының жартысын толтыру үшін 2D материалының бір түрін өсірді, содан кейін шаршының қалған бөлігін толтыру үшін екінші түрін өсірді. Нәтижесінде кремнилік пластинаның әрбір секциясында екі қабатты ультра жұқа пленка пайда болды. Транзисторлар – қазіргі заманғы компьютерлердің негізгі элементі, қазіргі уақытта кремния кристалдарында қалыптасады. Мур заңына сәйкес 1960 жылдардан бастап микрочиптегі транзисторлар саны жыл сайын екі есе өсті. Шектеу мынада - бұлайша өсу шексіз болуы мүмкін емес, өйткені, кремния наноөлшемде өзінің жартылай өткізгіштік қасиеттерін жоғалтады. Зерттеушілер әртүрлі материалдардан жасалған 2D монокристалды құрылымдарды пайдалану бұл шектеуді жеңуге және 2D жартылай өткізгіштерге негізделген келесі ұрпақтың өнімділігі жоғары электрондық құрылғыларын жасауға көмектеседі, деп санайды.