Huawei компаниясы әлемдегі технологиялық алыптардың бірінен саналады, алайда, Қытайдың мүддесіне қызмет етеді деген айыппен салынған АҚШ санцкиясынан кейін елеулі қиындықтарға тап болған компания. Бұл жайында islam.kz порталы techspot.com ақпарат көзіне сілтеме жасай отырып мәлім етеді. Бұл кедергіні еңсеру үшін аталмыш компания жатпай-тұрмай ізденіп, нәтижесінде  өте қысқа толқын ұзындығында жұмыс істеген кезде кедергіден болатын бұрмалануды жою үшін ультракүлгін сәулені түрлендіру технологиясын патенттеді. Бұл жетістік оған өз кезегінде микрочиптерді өздігінен басып шығару үшін 10 нм процесін пайдалануға мүмкіндік береді. Осылайша, АҚШ-тың санкцияларын айналып өтіп қана қоймай, осы құрылғылар өндірісінде күллі индустрияға бәсекелес бола алатын жағдайға жеткен. Төтенше ультракүлгін (EUV) литографияның күрделілігі сонша, оны қолдану мақсатында коммерциялық қондырғы жасау үшін голландиялық ASML компаниясына 17 жыл және 6 миллиард еуродан астам инвестиция қажет болды. Онда балқытылған қаңылтыр тамшылары лазермен екі рет сәулеленеді - алдымен құймақ пішінін беру үшін, содан кейін оның булануы үшін. Нәтижесінде қажетті параметрлері бар EUV сәулесін шығаратын плазмалық микробұлт алынады. Аталмыш процесс секундына 50 000 рет жиілікте жүреді. Бұл технология мейлінше құпия сақталады, оған әлем бойынша тек бес компания ғана қол жеткізе алады: АҚШ-тағы Intel және Micron, Оңтүстік Кореядағы Samsung және SK Hynix және Тайуандағы TSMC. Huawei сияқты басқа өндірушілер бұрын TSMC-тен чиптерге тапсырыс беретін, алайда, АҚШ санкциялары енгізілгеннен кейін бұл опцияға қол жеткізе алмай қалды. Технологияны қайталау өте қиын, өйткені, қажетті EUV сәулелену ультракүлгін және рентгендік спектрдің шекарасында теңдестіреді. Дегенмен, Huawei инженерлері кедергі әсерлерімен күресу үшін айналар жүйесін пайдалану арқылы тығырықтан шығудың жолын таба алды. Бастапқы сәуле жеке айналу параметрлері бар микроскопиялық айналарға берілетін «қосалқы сәулелерге» бөлінеді. Бұл олардың өзара (бір бірін) бейтараптандыруы үшін кедергі әсерлерін реттеуге және нәтижесінде барлық «қосалқы сәулелерді» EUV литографиясы үшін қажетті қасиеттері бар бір сәулеге қосуға мүмкіндік береді.